邓 爱 红 教授

理学学士（四川大学）
哲学硕士（香港大学）
哲学博士（香港大学）
现任四川大学物理学院
应用物理系教授  

从事半导体材料和新材料的研究，并已经在 Physical Review B, Journal of Applied Physics,
Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B 等国际著名学术刊物上发表论文二十多篇。

培养毕业研究生 4 名，现已招收研究生 9 名。在凝聚态物理和生物医学物理招收硕士研究生。

近年来的主要研究方向是：

1 、用正电子湮没方法研究半导体材料的缺陷特征及其辐照效应；

2 、氦在核材料中形成缺陷的机制研究；

3 、有关正电子发射断层成像（PET）的图像重建的研究。

学历和研究工作简历：

1982.09--1986.07   四川大学应用物理系读本科

1986.07--1994.12   四川大学应用物理系教师

1994.12--1997.01   香港大学物理系攻读硕士学位

1997.01--2000.02   香港大学物理系攻读博士学位

2000.02--2002.02   四川大学应用物理系教授

2002.02--2002.09   加拿大 McMaster 大学作访问研究

2002.09--至今      四川大学应用物理系教授

近期发表的主要学术论文：

[1] A.H. Deng, P. Mascher, Y. W. Zhao, L. Y. Yin, “Effects of annealing ambience on the formation of compensation defects in InP”, Journal of Applied Physics, 93, 2, 930 (2003).

[2] A. H. Deng, Y. Y. Shan, C. D. Beling, S. Fung, “Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors”, Journal of Applied Physics, 91, 6, 3931 (2002).

[3] Y. Y. Shan, A. H. Deng, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling,Y. W. Zhao, T. N. Sun, N. F. Sun, “Positron annihilation study of compensation defects responsible for conduction-type conversions in LEC-grown InP”, Journal of Applied Physics, 91, 4, 1998 (2002).

[4] C. C. ling, A. H. Deng, C. D. beling, S. Fung, “Positron lifetime spectroscopic studies of as grown 6H-silicon carbide”, Applied Physics A, 70, 33 (2000).

[5] A. H. Deng, B. K. Panda, S. Fung , C. D. Beling, “Positron lifetime analysis using the matrix inverse Laplace transformation method”, Nuclear instruments and methods in Physics Research”, B, 140, 3-4, 439 (1998).

[6] C. D. Beling, A. H. Deng, Y. Y. Shan, Y.W. Zhao, S. Fung, N. F. Sun, T. N. Sun, X. D. Chen, “Postron lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP”, Physical Review B, 58, 20, 13648 (1998).

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