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我院黄铭敏博士发表论文被Electronics Letters选为Feature Article

来源:本站 作者: 发布时间:2019-12-02

 

近日,我院青年教师黄铭敏博士以通讯作者身份在《Electronics Letters》(SCI分级:C刊)上发表论文,并被遴选为第25期唯一的Feature Article(特色论文)。该论文是以黄铭敏博士的中国发明专利(一种含有异质结的超结IGBTZL 201710480441X)为基础所做的详细工作。该论文的第一作者为我院硕士研究生李睿,龚敏教授、马瑶副教授和杨治美博士为共同作者。

黄铭敏博士于早期发表了载流子存储增强型超结IGBTn-Si/p-3C-SiC异质超结相关论文(见IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 264-267IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(9): 3922-3928)。以早期论文为研究基础,该论文提出了采用n-Si/p-3C-SiC异质结的超结IGBT。由于n-Si/p-3C-SiC异质结在n-Si一侧形成了空穴势阱而在p-3C-SiC一侧形成了空穴势垒,这使p-3C-SiC难以收集n-Si区中的空穴。这是黄铭敏博士提出的又一种增强超结IGBT中载流子存储效应的新机理,该机理可使超结IGBT功耗降低约23%。该论文工作对功率半导体器件(特别是IGBT)技术发展有重要推动意义。下图为《Electronics Letters》专题报道。

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