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微电子专业本科生获得“第二十三届全国半导体物理学术会议”优秀墙报奖

来源:本站 作者: 发布时间:2021-07-16

 

2021年7月8日至11日,第二十三届全国半导体物理学术年会在西安成功举办,全国共有超过200家高校、科研院所及企业参会,参会人数超过2000人。此次大会邀请报告352个,口头报告203个,其中企业报告、墙报展示705份,有69位同学获得Poster奖。

 

    微电子专业大三学生王璇钰的墙报“低温和室温下重离子辐照诱生缺陷影响的研究”得到了专家的好评,并获得poster奖。微电子专业杨治美副教授做口头报告,报告题目—低温重离子辐照对碳化硅器件电学性能的影响,反响强烈,报告后许多师生前来探讨。

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