Characterization of Semiconductors by Combining the PL and DLTS Techniques
发布时间：2016.03.22
来源： 本站
报告人：卢励吾
教授
时间：2016年3月24日星期四下午3点
地点：物理管一楼会议室103
报告摘要：运用光致发光和深能级瞬态谱技术表征半导体中深能级特性，报告详细介绍深能级瞬态谱的原理，测量方法和相关注意事项。着重介绍如何把光致发光和深能级瞬态谱技术相结合来表征半导体薄层结构，低维结构（量子阱，量子点）和相关器件中的杂质缺陷态深中心。
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四川大学物理科学技术学院
