报告题目：新型功能材料的电子结构

报告人： 叶茂博士

日本广岛大学理学院

日本广岛大学同步辐射中心  

报告时间：5月6日（星期五）上午9：30

报告地点：原子核科学技术研究所（720所）学术报告厅 

核科学与工程技术学院

原子核科学技术研究所（720所）

辐射物理及技术教育部重点实验室 

个人简介 

广岛大学理学院物理专业博士，日本学术振兴会（JSPS）特别研究员。 2006年毕业于北京师范大学材料科学工程系，后赴广岛大学理学院深造。主要从事新型功能性材料的电子结构的实验研究，例如半导体衬底上的磁性团簇，铁磁性记忆合金，石墨烯，拓扑绝缘体等。实验方法主要集中于基于同步辐射（HSRC, SPring-8等）的高分辨光电子能谱，以及超高真空低温隧道显微镜。研究成果多次发表于国际核心物理刊物，如物理评论快报。

本次交流报告主要介绍以广岛同步辐射研究所以及日本高辉度同步辐射科研所为中心展开的各种材料科学前沿的最新科研成果，主要包括：1）硬X线光电子能谱(HAXPES)揭示的铁磁性记忆合金马氏体相变的起源及机理[1]；2）高分辨角度分辨光电子能谱(HR-ARPES)观测到的新型拓扑绝缘体的狄拉克费米子[2]；3）低温扫瞄隧道显微镜观测到的碳化硅（SiC）衬底上外延生长的石墨烯（Graphene）的台阶态(edge states)[3].

[1] M. Ye, A. Kimura, Y. Miura, M. Shirai, Y. T. Cui, K. Shimada, H. Namatame, M.Taniguchi, S. Ueda, K. Kobayashi, R. Kainuma, T. Shishido, K. Fukushima, and T. Kanomata. Phys. Rev. Lett. 104, 176401(2010). [2] K. Kuroda, M. Ye, A. Kimura, S. V. Eremeev, E. E. Krasovskii, E. V. Chulkov, Y. Ueda, K. Miyamoto, T. Okuda, K. Shimada, H. Namatame, and M. Taniguchi.  Phys. Rev. Lett 105, 146801 (2010).

[3] M. Ye, Y.T. Cui, Y. Nishimura, Y. Yamada, S. Qiao, A. Kimura, M. Nakatake, H. Namatame, and M. Taniguchi.  Eur. Phys. J. B 75, 31 (2010)