近日，微电子2016级本科生朱佳玉同学以第一作者在《Superlattices and Microstructures》（SCI，影响因子2.38）上发表《Study on SOI structure irradiated by electron and annealled treatment using C-V, FTIR and PL》SCI论文，杨治美副教授为通讯作者。该论文是电子辐照对SOI结构电学和光学性能影响的研究，该课题获得大学生创新创业训练项目（省级）的支持。

2016级大创小组主要成员（从左至右）：李俊杰（工作），胡敏（保送四川大学），杨治美副教授，朱佳玉（保送中国科学技术大学），王少敏（保送中国科学技术大学）

该论文主要研究不同剂量的0.5 MeV电子辐照SOI结构，以及辐照退火后对SOI电学和光学性质的影响。该研究首先采用蒙特卡洛仿真软件GEANT4模拟出电子辐照的径迹以及次级电子和和次级声子的能量分布图（如图1所示）；通过电学C-V的测试分析表明：自由载流子浓度随辐照剂量增加而降低，退火后自由载流子浓度随退火温度增加而升高，从而推出电子辐照在SOI结构中可能产生了氧空位等缺陷，且退火温度较高会产生复合缺陷；最后通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析得到Si-O键的变化和荧光光谱（PL）进一步验证空位等缺陷的引入情况。

图1（a）0.5 MeV电子辐照SOI结构的模型；（b）GEANT仿真可视化结果；（c）辐照产生的次级电子能量分布和（d）辐照产生的次级声子能量分布

本科生朱佳玉在大二下学期就开始参加杨治美副教授指导的大创项目，并在组员王少敏、胡敏等同学的共同努力下获得优秀大创项目。通过大学四年的学习，她以踏实认真的学习态度和严谨的科研精神取得不错的成绩和成果，最终被保送到中国科学技术大学攻读硕士研究生。

下图为《Study on SOI structure irradiated by electron and annealled treatment using C-V, FTIR and PL》的部分内容