向钢，教授、博士生导师。兰州大学理学学士（物理系半导体器件与微电子学专业，1998）、工学硕士（材料物理与化学，2001），美国宾夕法尼亚州立大学哲学博士（物理学，2006）。曾在哈佛大学应用物理系、加州大学圣巴巴拉分校物理系、俄亥俄州立大学新兴材料中心访问或工作过。

长期致力于凝聚态物理学、微电子学和固体电子学研究及量子材料与器件研发，包括前沿半导体与磁性材料的可控制备、微纳电子及自旋电子器件的设计制造，以及相关物理机制的探索与应用。研究工作获国家重点研发计划、国家自然科学基金、教育部新世纪优秀人才计划等16项纵向与横向项目支持；在Nature、PRL、APL、Nano Lett等期刊发表SCI论文100余篇，H-index>=30；申请国家发明专利16项，已授权10项、转化1项；研究成果获2020年首届“中国半导体十大研究进展”提名奖。主讲《热学》课程获评四川省高阶课程，主编教材入选四川省“十四五”普通高等教育规划教材及科学出版社“十三五”“十四五”规划教材；担任吴玉章荣誉学院及教育部物理学拔尖班导师、教育部“中学生英才计划”导师。曾获四川省青年科技奖、唐立新教学名师奖，入选教育部新世纪优秀人才、四川省高层次引进人才、四川省学术与技术带头人。所带领的团队荣获四川大学“德渥群芳”优秀育人团队奖。

担任的公共服务，包括中国物理学会半导体物理专委会委员、自旋量子态调控科技论坛组委会成员；四川省侨联特聘专家、成都市同心智库成员；兰州大学材料学科战略咨询委员会委员、四川大学“双代会”代表；电子信息学院学位分委会委员、物理学院教职工篮球队创始队长兼教练等。

1.前沿半导体晶体材料及器件的设计、制备与物性研究

2.半导体自旋电子材料及器件的设计、制备与物性研究

3.磁电功能材料及器件的设计、制备与物性研究

半导体物理学/前沿半导体材料与器件

自旋电子学/量子自旋材料与器件

物理学专业（凝聚态物理）和电子科学与技术专业（微电子学与固体电子学、电子信息）的博士生和硕士生，以及博士后。

1. Design, fabrication and physical properties of advanced semiconductor crystals & devices

2. Design, fabrication and physical properties of spintronic semiconductors & devices

3. Design, fabrication and physical properties of electro-magnetic materials & devices

1. Li, D., He, W., Shi, J., Nie, Y., Peng, Y., Zhang, X., & Xiang, G.. Curie–Weiss Type Magnetic Field Tuning of Resistive Switching and Artificial Synapse Behaviors in Semiconductor Memristor. Advanced Functional Materials 36, e13638 (2026).

2. Su, X., Gong, D., Chen, X., Gao, B., Nie, Y., Gong, M., Peng, Y., Zhang, X. & Xiang, G.. Robust Ga₂O₃ Memristor with Sharp Stable Negative Differential Resistance for Energy-Efficient Reliable Analog Resistive Switching and Artificial Synapse Applications. ACS Nano 19, 42845 (2025).

3. Liu, Y., Lan, M., Sun, S., Li, L., Zhang, X., Chen, J., & Xiang, G.. Two-dimensional Osmium Tetrafluoride with Non-collinear Ferromagnetism. Applied Physics Letters 127, 223101 (2025) .

4. Chen, X., Zhang, X., He, W., Li, Y., Lu, J., Yang, D.,Li, D., Lei, L.,Peng,Y.& Xiang, G.. Lattice Dynamics and Phonon Dispersion of the van der Waals Layered Ferromagnet Fe₃GaTe₂. Nano Letters 25, 4353 (2025).

5. Chen, X., Luo, Q. Y., Guo, P. J., Zhou, H. J., Hu, Q. C., Wu, H. P.,Shen, X.W., Cui, R. Y., Dong, L., Wei, T.X.,Xiao, Y.H., Li, D., Lei,L., Zhang,X.,Wang, J. F. & Xiang, G.. Quantum Sensing of Room‐Temperature Ferromagnetism in 2D van der Waals Fe₃GaTe₂ Using Divacancy Spins in SiC. Advanced Functional Materials 35, 2413529 (2025).

6. Luo, J., Zhang, X., Lan, M., & Xiang, G.. Half-metal Mn₂GeI₂ Monolayer with High Curie Temperature and Large Perpendicular Magnetic Anisotropy. Applied Physics Letters 124, 192405 (2024).

7. Dai, X., Zhang, X., Gong, D., & Xiang, G.. Performance Enhancement and In Situ Observation of Resistive Switching and Magnetic Modulation by a Tunable Two‐Level System of Mn Dopants in a-Gallium Oxide-based Memristor. Advanced Functional Materials 33, 2304749 (2023).

8. Feng, Y., Zhang, X., Zhao, G., & Xiang, G.. A Skyrmion Diode Based on Skyrmion Hall Effect. IEEE Transactions on Electron Devices 69, 1293 (2022).

9. Ren, H., Zhang, L., & Xiang, G.. Web buckle-mediated Room-temperature Ferromagnetism in Strained MoS₂ Thin Films. Applied Physics Letters 116, 012401 (2020).

10. Wang, H., Sun, S., Lu, J., Xu, J., Lv, X., Peng, Y.,Zhang, X., Wang, Y. & Xiang, G.. High Curie Temperature Ferromagnetism and High Hole Mobility in Tensile Strained Mn-Doped SiGe Thin Films. Advanced Functional Materials 30, 2002513 (2020).