2005.09-2009.06：电子科技大学，电子科学与技术（微电子技术），学士。

2009.09-2016.06：电子科技大学，微电子学与固体电学，博士（硕博连读），导师：陈星弼院士。

2016.07-2020.09：四川大学物理学院微电子学系，微电子技术四川省重点实验室，助理研究员；

2020.09至今：四川大学物理学院微电子学系，微电子技术四川省重点实验室，副教授。

主讲本科生课程：《模拟IC分析与设计》、《微电子工艺与器件模拟》、《微电子学器件测试与分析》等；

主讲研究生课程：《半导体器件物理与设计》

功率半导体器件与功率IC、抗辐射加固

1、低功耗、高可靠Si功率半导体器件

2、抗辐射宽禁带（SiC、GaN）功率半导体器件

3、功率IC

1、论文、专利、项目情况：在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TNS等知名期刊及国际会议上发表论文40余篇，其中一作/通讯作者论文20余篇。获授权发明专利20余项，其中第一发明人美国发明专利1项，中国发明专利15项。近5年主持项目7项，包括国家自然科学基金青年基金项目、四川省科技计划项目、校市战略合作科技项目、横向项目。

2、低功耗、高可靠性IGBT设计及研制：首次在超结IGBT中提出增强载流子存储机制、新结构及设计理论；提出基于集电极沟槽结构的新型逆导型IGBT；提出可在100%额定耐压下安全关断的横向IGBT；与企业合作完成1200V/300A IGBT新产品开发，年销售额达1000余万元；与企业合作开发IGBT高关断可靠技术，可将最大电流关断能力提升至10倍额定导通电流。

3、超结MOS设计及研制：提出改善超结MOSFET的体二极管特性的新机理及新结构；与企业合作开发600V/80A超结MOS产品，完成了样品研制。

4、SiC功率半导体器件抗辐射加固设计及技术：首次提出了全新的加固设计思想及新耐压结构，可将SiC功率半导体器件在重离子入射后的峰值温度降低3倍以上，SEB电压提升至100%额定耐压，明显优于现有技术；首次提出了在轨器件的自加热退火调控方法，实现辐射诱生的器件电学退化恢复60%以上。

一、研究生招生专业方向：

1、电子科学与技术（微电子学与固体电子学）

2、电子信息（IC工程）

二、招生要求：申请硕士生，本科需在微电子、电子信息等相关专业就读。

三、 本科生科研指导：每年接收物理学院在读本科生5至10名左右参与在研科研项目。