我院黄铭敏博士发表论文被Electronics Letters选为Feature Article

近日，我院青年教师黄铭敏博士以通讯作者身份在《Electronics Letters》（SCI分级：C刊）上发表论文，并被遴选为第25期唯一的Feature Article（特色论文）。该论文是以黄铭敏博士的中国发明专利（一种含有异质结的超结IGBT，ZL 201710480441X）为基础所做的详细工作。该论文的第一作者为我院硕士研究生李睿，龚敏教授、马瑶副教授和杨治美博士为共同作者。

黄铭敏博士于早期发表了载流子存储增强型超结IGBT和n-Si/p-3C-SiC异质超结相关论文（见IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 264-267和IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(9): 3922-3928）。以早期论文为研究基础，该论文提出了采用n-Si/p-3C-SiC异质结的超结IGBT。由于n-Si/p-3C-SiC异质结在n-Si一侧形成了空穴势阱而在p-3C-SiC一侧形成了空穴势垒，这使p-3C-SiC难以收集n-Si区中的空穴。这是黄铭敏博士提出的又一种增强超结IGBT中载流子存储效应的新机理，该机理可使超结IGBT功耗降低约23%。该论文工作对功率半导体器件（特别是IGBT）技术发展有重要推动意义。下图为《Electronics Letters》专题报道。