物理学院微电子专业研究生参加EDSSC国际会议并获优秀论文奖

2025年6月12日至15日，第16届IEEE电子器件与固态电路国际会议（The 16th IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC）在宁夏银川成功举办。EDSSC是IEEE EDS/SSCS (IEEE电子器件协会/固态电路协会)北京分会香港分部发起的重要国际会议，内容涵盖了微电子器件/集成电路的大部分研究领域。

四川大学物理学院微电子教学研究中心的微电子抗辐照与可靠性团队硕士研究生王冬阳、陈鹏伟、郭睆实和邱爱霖均以第一作者发表论文并作了口头报告，其中论文的研究领域为功率半导体器件。王冬阳同学的论文《Electron Irradiation Effects on I-V Characteristics in p-GaN Gate HEMTs》获评“Excellent Paper”（优秀论文）。本次EDSSC会议共设置12个分会场，产生了18篇优秀论文，其中功率半导体器件分会场产生了2篇优秀论文，该团队论文是其中之一。

硕士生王冬阳作了主题为《Electron Irradiation Effects on I-V Characteristics in p-GaN Gate HEMTs》的口头报告，黄铭敏副教授和中科院微电子所蒋其梦研究员为共同通讯作者。本论文开展了GaN HEMT器件电子辐照研究，分析探究了器件性能退化规律及机理。论文明确了辐照诱生漏电的主要路径为漏极-衬底，栅极漏电相对次要；发现缓冲层半绝缘特性受到严重削弱，其I-V特性不再遵循空间电荷限制电流（SCLC）传导机制，而表现出高阻的欧姆特性；发现辐照后室温退火效应比较明显，GaN HEMT器件有较强的自我恢复能力。

（左）王冬阳在会议现场作报告 （右）优秀论文证书

硕士生陈鹏伟汇报了主题为《Effect of Electron Irradiation and Post-Irradiation Annealing on Reverse-Conducting IGBT》的报告，硕士生郭睆实汇报了主题为《Self-Heating Switching for Recovering Threshold Voltage of SiC MOSFETs after Electron Irradiation》的报告，硕士生邱爱霖汇报了主题为《Study on Mechanisms of Heavy Ion Induced Leakage Current and Single Event Burnout of FRD》和《Study on Single Event Effects in High-Voltage Silicon Power Semiconductor Devices》的报告，黄铭敏副教授和马瑶副教授为共同通讯作者。前两篇论文分别研究了高温退火和自加热退火对功率半导体器件的电子辐照诱生退化的修复作用、机理及策略。后两篇论文研究了不同功率器件的单粒子（重离子）辐照效应的现象差异及机理。

（从左至右）陈鹏伟、郭睆实、邱爱霖在会议现场作报告

团队合照（从左至右 邱爱霖、王冬阳、郭睆实、陈鹏伟）